شبیه سازی و گزارش اینورترهای چند سطحی منبع ولتاژی

مبدل های چند سطحی، مبدل های قدرتی متشکل از تعداد معینی کلیدهای نیمه هادی و منابع ولتاژ خازنی می­باشند که اگر به نحو مناسب کلیدزنی شوند می توانند ولتاژ پله­ای با دامنه و فرکانس دلخواه تولید کنند. پیشرفت­های اخیر در الکترونیک قدرت مفهوم چند سطحی را کاملا رایج کرده است. در واقع، این تدبیر به قدری سودمند است که سازندگان درایوهای بزرگ گوناگونی تولیداتی در مبدل های قدرت چند سطحی و تکنیکهای کلیدزنی مرتبط داشته اند. بدیهی است که مفهوم چندسطحی انتخاب بسیار مهمی برای سیستمهای الکترونیک قدرت در سال های آینده، خصوصا برای کاربردهای ولتاژ متوسط خواهد بود. مزایای روش چند سطحی شامل کیفیت توان خوب، تطابق الكترومغناطیسی خوب (EMC)، تلفات کلیدزنی پایین، توانایی کار در ولتاژ بالا می­باشد. مهم ترین عیوب این روش این است که تعداد زیادی نیمه هادی های کلیدزنی برای سیستم های ولتاژ-پایین تر مورد نیاز است و پله های ولتاژ کوچک باید در طرف DC توسط یک بانک خازنی یا منابع ولتاژ مجزا، تامین شود. اولین ساختاری که معرفي شد، ساختار پل H سری بود [1]. در ادامه مبدل نگهدارنده با دیود که از یک بانک از خازن های سری استفاده می کرد ظاهر شد. اختراع بعدی طرح خازن شناور بود که در آن خازن ها نسبت به حالت اتصال سری شناور بودند. در ادامه سه ساختار مبدل های چند سطحی بررسی خواهند شد.